La investigacion sobre oxidos semiconductores transparentes (TCO) basada en sus propiedades fisicas que les permiten ser utilizados en una amplia variedad de dispositivos electronicos, ha generado una gran cantidad de publicaciones en la literatura cientifica internacional. Los materiales mas estudiados en este campo son oxido de estano, oxido de indio, oxido de zinc y oxido de tinanio. El oxido de zinc, ZnO, presenta las ventajas de ser un material no toxico y estable ante plasmas moderados de hidrogeno. La formacion de peliculas de ZnO con la tecnica de Rocio Pirolitico presenta un alto potencial de aplicacion industrial debido a su tecnologia de control, su operacion sencilla y reproducible. En esta investigacion se presentan resultados originales obtenidos en el deposito de peliculas delgadas de ZnO empleando Fluor como inpurificante mediante la tecnica de Rocio Pirolitico. La contribucion principal es brindar una vision mas amplia sobre las propiedades fisicas de las peliculas de ZnO por medio de un estudio experimental completo y detallado."
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